Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Микроструктура окисленной потоком диссоциированного воздуха поверхности материала HfB2-SiC с повышенным содержанием карбида кремния (55 об. %)
доклад на конференции
Авторы:
Нагорнов И.А.
,
Симоненко Н.П.
,
Гордеев А.Н.
,
Колесников А.Ф.
Всероссийская Конференция :
XVII Молодёжная конференция ИХС РАН Школа молодых учёных, посвящённая 100-летию со дня рождения академика РАН М.М. Шульца
Даты проведения конференции:
5-6 декабря 2019
Дата доклада:
5 декабря 2019
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Нагорнов И.А.
Симоненко Н.П.
Гордеев А.Н.
Колесников А.Ф.
Место проведения:
Санкт-Петербург, Russia
Добавил в систему:
Нагорнов Илья Алексеевич