ИСТИНА

Полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических матрицах представляют интерес как с фундаментальной, так и с практической стороны. Благодаря размерным эффектам непрямозонные полупроводники, такие как германий и кремний, начинают проявлять интенсивные люминесцентные свойства в видимой области спектра [1]. Как правило, готовятся такие нанокомпозитные системы, представляющие собой тонкие однослойные или многослойные пленки, методами магнетронного осаждения и ионной имплантации [2, 3]. В данной работе в качестве матрицы предлагается использование пористого анодного оксида алюминия (АОА). Пористая структура АОА, приготовленного в определенных условиях, имеет упорядоченную гексагональную ячейку, что позволяет рассматривать его в качестве ID фотонного кристалла [4]. Подбор параметров такого фотонного кристалла и излучателей, помещенных в него, может значительно повысить выход люминесценции благодаря эффекту Парселла [5]. В работе нанокомпозитная система АОА@GeNC (нанокристаллиты Gе в матрице АОА) формировалась в три этапа. На первом этапе на различные подложки методом вакуумного термического напыления осаждались мультислои Аl/Gе. Германий осаждался в аморфном состоянии. Затем полученные мультислои подвергались анодному окислению. При этом анодирование слоя алюминия задавало пористость структуры. Слой германия частично растворялся, частично окислялся. На последнем этапе образцы подвергались восстановительному отжигу в среде водорода. При этом происходило восстановление и кристаллизация включений германия. Кристаллическая структура и морфология образцов исследовались методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей просвечивающей микроскопии, с применением методов электронной дифракции и рентгеновского микроанализа. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 17-79-10285.