|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Surface planarization of silicon carbide by sccelerated cluster ionsдоклад на конференции
- Авторы: Павлова Е.П., Каргин Н.И., Иешкин А.Е., Рындя С.М., Гусев А.С.
- Международная Конференция : XIII International Conference on Nanostructured Materials
- Даты проведения конференции: 7 августа - 12 сентября 2016
- Дата доклада: 9 августа 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Quebec, Canada
- Добавил в систему: Иешкин Алексей Евгеньевич