ИСТИНА

В последнее время становится все более актуальным вопрос об увеличении интенсивности сигнала от слабых источников, в частности, от одиночных центров окраски в алмазе. Известно, что множество центров окраски в алмазе обычно излучают в широком телесном угле, и эффективность сбора при этом не превышает 3%. С целью эффективности сбора применяются различные техники и методы, однако наше внимание будет сосредоточено на алмазных наноантеннах в форме столбиков, которые позволяют увеличить направленность и интенсивность излучения SiV-центров. Для NV и SiV-центров данный метод применялся в работах, причём удалось достичь усиления собираемой интенсивности в 10 раз по сравнению с излучателями, расположенными вне наноантенн. В настоящей работе проведены расчёты для оптимальных геометрических параметров алмазных наностолбиков с учётом возможностей изготовления таких структур с помощью ионно-пучковых технологий. Расчёты показывают, что данные наностолбики позволяют достичь увеличения регистрируемой интенсивности от SiV-центров в 30 раз и эффективности сбора более 50%.