![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В работе осуществляется исследование влияния дефектов на электронные свойства графена. Основным подходом в исследованиях являются двумерные решеточные модели. Графен имеет высокую подвижность носителей заряда, что делает его очень перспективным для использования в различных областях нанотехнологий. Графен - двумерная аллотропная модификация углерода, образованная слоем атомов углерода толщиной в один атом, находящихся в sp2-гибридизации и соединённых посредством σ- и π-связей в гексагональную двумерную кристаллическую решётку. На краях зоны Бриллюэна (рис.1.) в точках K и K’ (точки Дирака) зона проводимости и валентная соприкасаются (рис.2.), здесь закон дисперсии носителей линеен EJ = ± ħvF k , где ħJ - постоянная Планка, vJ F - скорость Ферми, kJ - модуль волнового вектора в двумерном пространстве с компонентами(J kx, ky). Граничные эффекты в графене оказывают влияние на энергетический спектр. Например топология границ графеновых нанолент определяет нелинейный закон дисперсии и проводящие свойства. Аналогичные явления должны возникать и в случае протяженных дефектов листа графена. Показано, как дефекты с различной топологией границ деформируют энергетический спектр.