Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
X-ray High Resolution Reflectometry of Boron Layers, Received by Laser Sputtering on Silicon Substrates.
доклад на конференции
Авторы:
Петраков А.П.
,
Бушуев В.А.
Конференция :
Abstr. 4th European Conference on High Resolution X-ray Diffraction and Topography (Durham, U.K., 9-11 September 1998), P. P3.45.
Даты проведения конференции:
1998
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Петраков А.П.
Бушуев В.А.
Место проведения:
Durham, U.K.
Добавил в систему:
Бушуев Владимир Алексеевич