|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
An advanced X-ray HRD studies of microdefects in Si doped GaAs bulk crystal.доклад на конференции
- Авторы: Ломов А.А., Бушуев В.А., Bocchi C., Имамов Р.М., Franzosi P.
- Конференция (Симпозиум) : Proc. 3rd European Symposium “X-Ray Topography and High Resolution Diffraction”, Palermo, Italy, 22-24 April 1996. P. 197.
- Даты проведения конференции: 1996
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Palermo, Italy, Italy
- Добавил в систему: Бушуев Владимир Алексеевич