|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Advanced Etching for Nano-devices and 2D materialsдоклад на конференции
- Авторы: de Marneffe Jean-Francois, Ivo Rangelow, Andy Goodyear, Braithwaite N.St, Yvonne Sutton, Mark Bowden, Efrain Altamirano-Sanchez, Alexey Zotovich, Otell Zaid El, Boon Teik Chan, Knoll Armin W., Colin Rawlings, Duerig U., Martin Spieser, Kesthner M., Christian Neuber, Mike Cooke
- Международная Конференция : MNE 2016
- Даты проведения конференции: 19-23 сентября 2016
- Дата доклада: 20 сентября 2016
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: de Marneffe Jean-Francois
- Место проведения: Вена, Austria
-
Аннотация доклада:
This talk will present etch challenges brought by the move towards ultimate limits of nano-patterning. Ultra-thin resists, atomic-scale precision, sub-nanometre damage require to modify traditional plasma etch methods towards low energy and low fluence approaches. Challenges driven by sub-10nm patterning will be illustrated by specific examples studied within the SNM project.
- Добавил в систему: Зотович Алексей Иванович