Single-electron transistor based on several dopant atoms.доклад на конференции
-
Авторы:
Dagesyan S.,
Shorokhov V.,
Krupenin V.,
Soldatov E.,
Trifonov A.,
Presnov D.
-
Международная Конференция :
International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2016", October 3 - 7 , 2016, Moscow-Zvenigorod, Russia
-
Даты проведения конференции:
3-7 октября 2016
-
Дата доклада:
6 октября 2016
-
Тип доклада:
Стендовый
-
Докладчик:
Dagesyan S.
-
Место проведения:
Москва- Звенигород, Russia
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
-
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич