ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В наноструктурах на основе NbSe3 реализован режим коллективного движения волны зарядовой плотности (ВЗП) под действием электрического поля Холла. Показано, что в данной экспериментальной геометрии проводимость ВЗП ока-зывается более чем на порядок выше, по сравнению с обычной геометрией, в которой инициация скольжения ВЗП осуществляется за счет падения напряжения при пропускании тока нормальных носителей, не сконденсированных в состояние с ВЗП. Измерены транспортные свойства ВЗП в сверхкоротких (субмикронного масштаба) образцах NbSe3, в том числе при низких температурах, где в обычной геометрии реализация скольжения ВЗП наблюдать не удается.