|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Применение трековых методов при исследовании параметров чувствительности интегральных микросхем к воздействию тяжелых заряженных частицдоклад на конференции
- Авторы: Васильев О.А., Воронин А.Г., Карманов Д.Е., Ковалев И.М., Курганов А.А., Меркин М.М., Панов А.Д., Подорожный Д.М., Турундаевский А.Н.
- Международная Конференция : Приоритетные направления инновационной деятельности в промышленности
- Даты проведения конференции: 30 июня - 30 сентября 2020
- Дата доклада: 30 июня 2020
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Казань, Russia
-
Аннотация доклада:
На сегодняшний день проблема экспериментальных исследований параметров чувствительности электроники к одиночным радиационным эффектам далека от полного решения. Существующие методы основаны на применении лазерных имитаторов и ускорителей ионов тяжелых ядер. Оба подхода не лишены недостатков, однако, в совокупности, позволяют решать задачи по исследованию и сертификации новых изделий электроники. Улучшить точности измерений, проводимых в этих исследованиях, можно, применив в испытаниях на ускорителях методы восстановления треков падающих на образец частиц.
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Разработка программно-аппаратных средств для экспериментов в физике высоких энергий
- Исследования химического состава галактических космических лучей на космических аппаратах и аэростатах
- Добавил в систему: Ковалев Игорь Михайлович