|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Снижение контраста фоточувствительности неоднородных N+-P(N)-Р+ структур кремния, измеряемого при освещении всей поверхности P-N переходадоклад на конференции
- Автор: Кошелев О.Г.
- Всероссийская Конференция : XVII Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2020»)
- Даты проведения конференции: 23-28 августа 2020
- Дата доклада: 26 августа 2020
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Проведены исследования снижения контраста фоточувствительности равномерно освещаемой n+-p(n)-p+ структуры кремния из-за фототоков между ее неоднородностями вдоль n+ и p+ слоев. Измерения и расчеты проводились на модели, состоящей из двух кремниевых солнечных элементов различной фоточувствительности, соединенных резистором. Получено согласие результатов измерений и вычислений.
- Добавил в систему: Кошелев Олег Григорьевич