ИСТИНА

Перспективные элементы вычислительных устройств содержат джозефсоновские гетероструктуры с большим количеством ферромагнитных, металлических и диэлектрических слоев нанометровой толщины в области слабой связи. Их практическое использование диктует необходимость модификации методик анализа сверхпроводящих структур в таких системах. В данной работе будет показано, что изучение вольт-амперных характеристик (ВАХ) таких джозефсоновских гетероструктур является одним из эффективных способов получения новой информации о физических свойствах сверхпроводящих корреляций (плотность состояний и т.д.). Тем самым будет доказано, что предлагаемая в данной работе «Джозефсоновская спектроскопия», действительно может служить для выявления новой физики в тонкопленочных многослойных гетероструктурах, и в последствие может быть использована при создании устройств криогенной памяти.