ИСТИНА

Исследуемые в данной работе «SIsFS»-структуры может быть использована для создание ячеек криогенной памяти в сверхпроводниковой микроэлектронике. Она представляет из себя последовательно соединенные объемный сверхпроводник, изолятор, тонкую сверхпроводниковую прослойку, металлический ферромагнетик и объемный сверхпроводник. Через изолятор «I» может течь туннельный ток, который зависит от плотностей состояний электронов в сверхпроводниковом «S»-электроде и в среднем сверхпроводящем «s»-слое. В свою очередь, на электронную подсистему последнего способно значительным образом влиять наличие обменного поля в «F»-ферромагнетике. Таким образом, анализ «SIsFS»-структуры можно разбить на две последовательные задачи – расчет плотностей состояний в «sFS»-части и последующее нахождение тока при заданном напряжении в «SIs»-части структуры. В ходе работы были выявлены интересные зависимости плотности состояний электронов в системе в зависимости от таких параметров системы как длина среднего сверхпроводника, величина обменного поля ферромагнетика, параметр прозрачности между материалами. Также было найдено изменение плотности состояний вблизи 0-пи перехоода.