ИСТИНА

Ансамбли кремниевых нанонитей (КНН) диаметром порядка 100 нм представляют большой интерес для фотоники, поскольку на их основе могут быть созданы высокоэффективные сенсоры и устройства фотовольтаики. В настоящей работе исследованы слои КНН, сформированные методом металл-стимулированного химического травления кристаллического кремния (c-Si). По сравнению с исходным c-Si полученные структуры демонстрируют рост коэффициента полного (зеркального и диффузного) отражения в ближнем инфракрасном (ИК) и его существенный спад в видимом диапазонах и рост эффективности комбинационного рассеяния света (КРС). Эти изменения возрастают с увеличением толщины слоя КНН. Проведённые поляризационные измерения сигнала КРС свидетельствуют о переходе с ростом толщины слоя КНН от выраженной четырехкратной симметрии ориентационной зависимости КРС к ее изотропному виду. Выполненные измерения кросс-корреляционных функций фемтосекундных лазерных импульсов позволили определить время жизни фотонов в слоях КНН, что предоставило дополнительную информацию о распространении света в них. Это позволяет утверждать, что рост коэффициента полного отражения в ближнем ИК диапазоне и эффективности комбинационного рассеяния света обусловлен ростом времени жизни фотонов. Показано, что при толщине слоя КНН свыше 2 мкм распространение света в ансамблях КНН носит диффузный характер.