ИСТИНА

Предложена математическая модель, описывающая вспышки в Короне Солнца. Показано, что в решении проблемы вспышечного нагрева играет важную роль эффект локализации тепла в режиме с обострением в виде структур с уменьшающейся полушириной. Моделирование основано на численном решении уравнения энергии, сведенного к уравнению теплопроводности с учетом ненулевого фона. Показано, что наиболее благоприятные условия для формирования тепловых структур при нагреве плазмы в режиме с обострением возникают поперек магнитного поля при теплопроводности, определяемой ионами. В качестве источника нагрева, обеспечивающего быстрый режим с обострением, предполагается магнитная ловушка, образованная сходящимися перетяжками магнитной трубки. Объяснен наблюдаемый эффект уменьшения меры эмиссии.