ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Топологические изоляторы представляют собой экзотическое состояние квантовой материи, заключающееся в том, что в объеме такие материалы являются узкозонными полупроводниками, в то время как их поверхность является металлической. Недавние теоретические предсказания и измерения фотоэлектронной спектроскопии показали [1-3], что группа V-VI материалов таких как Bi2Se3, Bi2Te3, Sb2Te3 и более сложные соединения как Bi2Te2Se являются ТИ, в энергетическом спектре которых наблюдается присутствие поверхностных состояний описываемых линейным законом дисперсии Дирака (конус Дирака) внутри запрещенной зоны. По прогнозам эти материалы проявляют интересные свойства на поверхности. В данной работе мы сообщаем о синтезе и характеризации сверхтонких Bi2Te2Se нанопластин с толщиной до нескольких нанометров и поперечным размером около (100-300) нм, выращенных с помощью (PVD - физическое осаждение из газовой фазы) метода синтеза. Низкотемпературные измерения образца показывают наличие эффекта сверхпроводящей близости ТИ (Bi2Te2Se) и сопряженных с ним сверхпродящими (Nb) ниобиевыеми контактами. На кривых dI/dV мы наблюдаем эффекты, которые могут быть связаны с многократными Андреевскими отражениями. Литература. 1. Yan, Y.et al. Synthesis and Quantum Transport Properties of Bi2Se3 Topological Insulator Nanostructures. Sci. Rep. 3, 1264; DOI:10.1038/srep01264 (2013). 2. Schönherr et al.: Vapour-liquid-solid growth of ternary Bi2Se2Te nanowires. Nanoscale Research Letters 2014 9:127. 3. Kong, D.; Randel, J. C.; Peng, H.; Cha, J. J.; Meister, S.; Lai, K.; Chen, Y.; Shen, Z.-X.; Manoharan, H. C.; Cui, Y. Nano Lett. t. 2010, 10, 2245—2250.