|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Polarization mode switching and tuning in p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs diodes by compressive stressдоклад на конференции
- Авторы: Kolokolov K.I., Minina N.Ya, Bogdanov E.V.
- Международная Конференция : 5th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics November 28-30, 2016 Atlanta, Georgia , USA
- Даты проведения конференции: 28-30 ноября 2016
- Дата доклада: 28 ноября 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Атланта, United States
-
Аннотация доклада:
We performed a set of experiments and numerical calculations on strained p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs heterostructures under uniaxial stress. These structures are widly used in commercial laser diodes emitting at 766 – 808 nm. The results show that polarization of emitted light can be extremely sensitive to external uniaxial stress due to the change of wave functions and optical transitions between the subband levels in the quantum well.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович