|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Тонкопленочные сверхпроводящие структуры NbN для регистрации одиночных фотоновдоклад на конференции
- Авторы: Марясевская А.В., Левченко Е.А., Белов В.С., Сиротина А.П., Чичков В.И.
- Всероссийская Конференция (Семинар (workshop)) : 19-я Всероссийская молодежная научная школа-семинар «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники»
- Даты проведения конференции: 6-8 декабря 2016
- Дата доклада: 8 декабря 2016
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Ульяновск, Russia
-
Аннотация доклада:
Cверхпроводниковые однофотонные детекторы (SSPD) представляют большой интерес благодаря высоким квантовой эффективности в видимом и инфракрасном диапазонах и скорости счета фотонов и низкому темновому счету. SSPD представляет собой ультратонкие (~4-5 нм) и узкие (~100 нм) полоски сверхпроводника, уложенные в форме меандра. Принцип регистрации основан на переходе участка сверхпроводниковой структуры, находящейся при температуре, ниже критической, и с протекающим по ней током, близком к критическому, в нормальное состояние при поглощении ею одиночных фотонов. В данной работе проводились исследования ультратонких пленок NbN, полученных магнетронным распылением, методами рентгеновской дифракции, ОЖЭ-спектроскопии фазового и элементного состава. Помимо структурного и элементного состава в данной работе проведены исследования электрофизических и сверхпроводящих свойств пленок NbN
- Добавил в систему: Марясевская Алина Владиславовна