Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Исследование покрытий на основе оксида гафния с использованием спектрометрии ядерного обратного рассеяния
доклад на конференции
Авторы:
Борисов А.М.
,
Полянский М.Н.
,
Каменских А.И.
,
Ткаченко Н.В.
,
Востриков В.Г.
,
Савушкина С.В.
Международная Конференция :
XLVI международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
Даты проведения конференции:
31 мая - 2 июня 2016
Дата доклада:
2 июня 2016
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Борисов А.М.
Полянский М.Н.
Каменских А.И.
Ткаченко Н.В.
Востриков В.Г.
Савушкина С.В.
Место проведения:
Москва, Russia
Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
Фундаментальные и прикладные проблемы физики ядерных реакций
Добавил в систему:
Ткаченко Никита Владимирович