ИСТИНА

Квазидвумерные наночастицы CdSe получены методом коллоидного синтеза в некоординирующем растворителе и инертной атмосфере. По данным ПЭМ наблюдалось образование наночастиц CdSe с латеральными размерами более 100 нм и толщиной 1.5 нм (5 монослоев). Было исследовано влияние типа используемого анионного прекурсора на латеральные размеры наночастиц. Показано, что присутствие в системе триоктилфосфина приводит к увеличению латеральных размеров наночастиц, что обусловлено частичным связыванием катионов кадмия на стадии нуклеации. Оптимизация методики позволила получить наночастицы с латеральным размером до 500 нм. Методом ПЭМ было показано, что квазидвумерные наночастицы CdSe большого размера формируют тубулярные структуры. Методом рентгеновской и электронной дифракции было показано, что наночастицы имеют модификацию сфалерита. Коллоидные гетероструктуры CdSe/CdS на основе квазидвумерных наночастиц получены методом химического низкотемпературного послойного осаждения материала оболочки в полярной фазе. В ходе роста оболочки латеральные размеры наночастиц не менялись, в то время как толщина увеличилась с 1.5 до 4.6 нм для гетероструктур CdSe/CdS с толщиной оболочки 5 ML. Электронограммы отдельных наногетероструктур представляют собой монокристалльную дифракцию с набором рефлексов, соответствующих решетке сфалерита в ориентации [001]. Оптические свойства изучены методом спектроскопии поглощения и люминесценции. В спектрах поглощения наночастиц CdSe присутствуют выраженные полосы, отвечающие переходам между подзонами легких и тяжелых дырок и зоной проводимости. Показано, что рост первого и последующих монослоев оболочки CdS приводит к сдвигу полос экситонного поглощения в красную область (с 2.85 до 2.15 эВ с увеличением числа монослоев CdS до 5 ML). Показана размерно-зависимая люминесценция, отвечающая экситонным переходам, с шириной полос порядка 20 нм, что привлекательно для создания светоизлучающих устройств. Впервые обнаружено, что для квазидвумерных наночастиц помимо экситонных полос в видимом диапазоне наблюдаются интенсивные полосы поглощения в УФ области, которые можно соотнести с экситонными переходами E1, E1+1 и E2, отвечающим точкам Брюллюэна, отличным от Г. Показан размерно-зависимый сдвиг энергии данных полос поглощения в зависимости от толщины квазидвумерных наночастиц, как в случае индивидуальных наночастиц, так и гетероструктур CdSe/CdS.