![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
1. Проведен анализ процесса локализации деформаций в плоских образцах, наблюдаемого в процессе высокотемпературных испытаний при ползучести вплоть до разрушения. Впервые показано, что равномерная деформация образцов происходит в течение времени, составляющего только 30–50% от времени до разрушения, после чего появляется значительная неоднородность деформирования. Зафиксирован момент времени, в который на образце образуется шейка. Этот момент соответствует расхождению зависимостей для условных и истинных максимальных напряжений σmax(t). Было выяснено, что образцы с более низким начальным напряжением разрушаются при больших значениях ширины и толщины образца в зоне локализации. С повышением начального растягивающего напряжения и приближением к месту локализации увеличивается отношение ширины к толщине в разрушенном образце. Предложено ввести понятия «быстрая» и «долгая» локализации деформации. Показано, что плоские образцы по сравнению с цилиндрическими образцами деформируются более равномерно в своей рабочей части.