В связи с техническими работами в центре обработки данных, возможность загрузки и скачивания файлов временно недоступна.
 

Исследование методом спектроскопии фотоотражения механических деформаций и плотности зарядовых состояний в слоях LT-GaAs/Si(100)доклад на конференции