Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Modification of Zn implanted Si by swift Xe ion irradiation
доклад на конференции
Авторы:
PRIVEZENTSEV V.
,
KULIKAUSKAS V.
,
ZATEKIN V.
,
EIDELMAN K.
,
SKURATOV V.
,
TABACHKOVA N.
,
DIDYK A.
Международная Конференция :
Internat. Conf. on Extended Defects in Semiconductors (EDS 2016)
Даты проведения конференции:
25-29 сентября 2016
Дата доклада:
25 сентября 2016
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
PRIVEZENTSEV V.
KULIKAUSKAS V.
ZATEKIN V.
EIDELMAN K.
SKURATOV V.
TABACHKOVA N.
DIDYK A.
Место проведения:
Toulouse, France
Добавил в систему:
Куликаускас Вацловас Станиславович