|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Температурная динамика доменной структуры и диэлектрических свойств кристалла TGS вблизи ТКдоклад на конференции
- Авторы: Толстихина А.Л., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В., июня 2016 — Т 1 — С 290—291 http://purple ipmt-hpm ac ru/sem/sem2016 pdf 30 мая –.3, Иванова Е.С., Овчинникова / Тезисы докладов XXYI Российской конференциикроскопии Москва Зеленоград Г.И., Лашкова А.К.
- Всероссийская Конференция : XXYI Российская конференция по электронной спектроскопии. Москва Зеленоград, 30 мая – 3 июня 2016. — Т.1. — С.290—291. http://purple.ipmt-hpm.ac.ru/sem/sem2016.pdf
- Даты проведения конференции: 4 мая - 3 декабря 2016
- Дата доклада: 2 июня 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва Зеленоград, Russia
-
Аннотация доклада:
Измерены температурно - частотные диэлектрические спектры сегнетоэлектрика триглицинсульфата в диапазоне частот от десятков герц до сотет килогерц. Определены две области дисперсии, механизм возникновения которых анализируется вместе с температурной динамикой изображений поверхности кристалла, полученных методом атомно-силовой микроскопии.
- Добавил в систему: Овчинникова Галина Ивановна