ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
На основе полученных данных МУРР показано, что в образце произошел спинодальный распад твердого раствора GaAs0.7Se0.3 на отдельные фазовые компоненты GaAs и GaSe. Посредством сравнения данных МУРР, полученных при разных величинах длины волны, была установлена связь между размерами и химическим составом, двух разных типов однородных фаз, формирующих исследуемую пленку GaAs0.7Se0.3. Оказалось, что в пленке образуется мозаичная сверхструктура. Определены пространственные характеристики и химический состав двух разных типов фазовых компонент изучаемого образца: доменов GaAs (ячейки размером примерно 350*350*25 нм) и GaSe (ячейки примерно 350*350*15 нм). Показано, что исследуемый образец может включать в себя компоненты с линейной геометрией, не содержащие атомов мышьяка.