![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Образец GaAs0.7Se0.3/GaAs, – пленка толщиной 100 нм, выращенная методом газофазной эпитаксии, – исследован методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей (МУРР) в прикраевом варианте [1]. Эксперименты проводились в режиме отражения при трех разных значениях длины волны анализирующего пучка: 1.043 Å (что отвечает энергии незначительно выше K-края As), 0.979 Å (энергия незначительно выше Se K-края), 1.5405 Å (стандартное Cu Kα1-излучение). Кроме того, измерены кривые МУРР в просвечивающем режиме при Cu Kα1-излучении в нескольких вариантах пространственного расположения изучаемого образца, а также от него получены данные рентгеновской дифрактометрии (РД).