|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Single-electron single-atom transistor based on arsenic dopants in siliconдоклад на конференции
- Авторы: Kolpakov M.A., Dagesyan S.A., Presnov D.E., Shorokhov V.V., Krupenin V.A., Snigirev O.V.
- Международная Конференция : ICMNE-2021
- Даты проведения конференции: 4-8 октября 2021
- Дата доклада: 5 октября 2021
- Тип доклада: Приглашенный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Звенигород, РФ, Russia
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич