|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
(Er,Yb):GdAl3(BO3)4 Laser passively Q-switched by MBE-grown Cr:ZnS/Cr,Co:ZnS thin filmsдоклад на конференции
- Авторы: Gorbachenya K.N., Kisel V.E., Yasukevich A.S., Tolstik N., Karhu E., Kuleshov N.V., Sorokin E., Maltsev V.V., Leonyuk N.I., Gibson U., Sorokina I.T., Furtula V.
- Международная Конференция (Симпозиум) : ICONO/LAT 2016, Symposium "Beyond non linear optics"
- Даты проведения конференции: 26-30 сентября 2016
- Дата доклада: 28 сентября 2016
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Minsk, Belarus
-
Аннотация доклада:
Passively Q-switched Er,Yb:GdAB laser with MBE-grown Cr:ZnS/Cr,Co:ZnS thin film saturable absorber was demonstrated for the first time to our knowledge. The pulses with 10.7 µJ energy, 6 ns duration, and 31 kHz repetition rate were obtained at the wavelength of 1522 nm. The saturable absorber manufacturing technique allows obtaining integrated AE-SA structures especially interesting for compact microchip Q-switched lasers with minimal pulse duration.
- Добавил в систему: Леонюк Николай Иванович