ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В докладе обсуждаются (1) подходы в создании новых материалов, (2) электронные процессы в функциональных слоях, определяющие требования к полупроводникам, (3) тенденции в разработках солнечных элементов нового поколения. На примере соединений класса π-сопряженных гетероароматических ядер показано, что полупроводники для зарядо-транспортных слоев должны обладать как относительно высокой подвижностью основных носителей заряда, так и уровнями энергии электронных транспортных состояний, которые согласованы с уровнями энергии фотоактивного слоя и работой выхода материалов электродов. Рассмотрены подходы в разработке фотоактивных слоев на основе перовскитных структур, квантовых точек полупроводников.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|