ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В последние годы наблюдается рост персонализированной электроники. Однако до сих пор актуальна проблема гетероинтеграции для кремниевых чипов. В данной работе была создана полимерная композиция, способная взаимодействовать с OH-группами кремниевой поверхности. В качестве основы был выбран OSTE полимер с добавлением меркаптосилана. Измерение физико-химических свойств показало, что прочность на разрыв составляет 58 МПа, модуль Юнга 1.7 ГПа, полимер термически стабилен до 330 °C и прозрачен в области 420-1000 нм. На основе полученного полимера была создана трёхмерная структура на кремниевом чипе.