ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Для изучения фундаментальных физических свойств топологических изоляторов, являющихся перспективными материалами электроники и спинтроники, необходимо знать, насколько материалы стабильны в условиях окружающей среды, при синтезе, обработке и эксплуатации. Нужно уметь контролировать толщину окисленного слоя, влияющего на результаты электрофизических измерений