ИСТИНА

Технологии неорганических полупроводников получили стремительное развитие, когда уровень химической чистоты превзошел 99,999 мас.%. По мере повышения химической чистоты неорганических полупроводников обнаруживались все новые фундаментальные закономерности, которые на более грязных материалах маскировались примесными эффектами. Совершенствование технологии неорганических полупроводниковых монокристаллов в значительной степени обуславливаются повышением химической чистоты исходных веществ. В настоящее время выдающиеся результаты, которые достигнуты на основе монокристаллов кремния обуславливаются его рекордной химической чистотой вплоть до 99,999999999 мас.%. Иначе дело обстоит со сложными полупроводниками (GaAs, InP, CdTe и т.п.), для которых помимо примесной чистоты необходимо контролировать нестехиометрию. Органические полупроводники стремительно завоевывают рынок, но количество материалов с чистотой выше 99,999 мас.% крайне мало. По вопросам нестехиометрии органических полупроводников информации практически нет. Фундаментальные исследования находятся в начальной стадии. В качестве объектов исследований нами были изучены трис-(8-оксихиноляты) алюминия (Alq3), галлия (Gaq3) и индия (Inq3), которые являются электролюминофорами и используются в органических светоизлучающих диодных структурах. На первом этапе исследований были разработаны технологии высокочистых поликристаллических Alq3, Gaq3 и Inq3. Далее была разработана оригинальная методика и построены P8-Нq-T диаграммы указанных соединений, которые являются фундаментальной основой для выбора условий синтеза фаз с контролируемым отклонением от стехиометрии. На основе анализа P8-Нq-T диаграмм был предложен новый способ выращивания монокристаллов Alq3, Gaq3 и Inq3. Суть разработанного способа (Рис.1) заключается в изотермической кристаллизации расплава при Т2 в условиях градиента парциального давление 8-оксихинолина (Р3-Р1).