ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Предложено усовершенствование модели динамики свободных носителей под действием лазерного излучения среднего инфракрасного излучения, которое разрешает более интенсивный нагрев носителей в зоне проводимости. На примере кремния была показана возможность создания микромодификации в объеме кристалла.