ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Разработана методика оценки радиуса кривизны тонкопленочных мембран. На примере SiNх/SiО2/SiNх/SiО2 и Al мембран показано, что форма мембраны отличается от сферической ближе к области закрепления и к области вершины. Наблюдается тенденция к увеличению радиуса кривизны по мере приближения к центру мембраны.