ИСТИНА

Для образцов НТАОТ наблюдается уменьшение проводимости в результате нанесения CuxO. Это может быть связано с формированием гетеропереходов TiO2/CuxO, которые определяют процессы переноса заряда в структурах. При этом видно, что температурные зависимости проводимости, полученные для образцов, отожженных в воздухе и в аргоне, практически совпадают. Однако отжиг в вакууме приводит к резкому росту проводимости, которая оказывается значительно выше, чем у исходного образца, не обработанного оксидом меди. Данный факт может быть обусловлен образованием дефектов различных типов при отжиге диоксида титана в средах с малым содержанием кислорода, которые существенно влияют на транспорт носителей заряда в полупроводниках.