Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Band gap density of states distribution and photoconductivity in nanocrystalline hydrogenated silicon
доклад на конференции
Авторы:
Kazanskii A.G.
,
Khabarova K.Yu
,
Forsh P.A.
Конференция :
1-st Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices
Даты проведения конференции:
2006
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Kazanskii A.G.
Khabarova K.Yu
Forsh P.A.
Место проведения:
Beijing, China, China
Добавил в систему:
Казанский Андрей Георгиевич