|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Проблемы выращивания трубчатых монокристаллов кремния для непланарных технологий силовой электроникидоклад на конференции
- Авторы: Простомолотов А.И., Верезуб Н.А., Кондратенко Т.Т.
- Международная Конференция : X Междунар. науч. конф. «Материалы и структуры современной электроники (МССЭ-2022)»
- Даты проведения конференции: 12-14 октября 2022
- Дата доклада: 14 октября 2022
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Минск, БелГУ, Физич. ф-т, Belarus
-
Аннотация доклада:
Анализируются процессы термомеханики применительно к существующему и хорошо отлаженному процессу выращивания методом Чохральского поликристаллических сильно дислокационных кремниевых труб большого диаметра для эпитаксиальных реакторов. Отмечается, что для выращивания трубчатых малодислокационных монокристаллов кремния малого диаметра требуется существенная модернизация стандартного теплового узла, которая в данной работе реализуется применительно к установке «РЕДМЕТ-10» для метода Чохральского. С помощью компьютерного моделирования рассчитываются процессы термомеханики в такой модернизированной установке. Характеризуются параметры выращенных трубчатых монокристаллов кремния, оценивается их пригодность для изготовления силовых полупроводниковых приборов по непланарной технологии.
- Добавил в систему: Верезуб Наталия Анатольевна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Презентация | Prostomolotov_prezentatsiya.pdf | 1,5 МБ | 13 октября 2022 [naverezub] |