ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Цель данной работы заключалась в разработке методики и изготовлении тонкопленочных ОПТ на основе нового силоксанового димера BTBT, высокостабильного при нормальных условиях. Наличие тетраметилдисилоксановой группы в составе молекулы позволяет использовать методы самоорганизации для создания сверхтонкого слоя полупроводника. В качестве методов формирования слоя использовались методы вращающейся подложки, Ленгмюра-Блоджетт и Ленгмюра-Шеффера. Полученные электрические характеристики пленок типичны для ОПТ, а дырочная подвижность в сверхтонком слое, полученном методом вращающейся подложки, достигает значения 3*10-2 см2/Вс, что позволяет использовать исследованное соединение для создания гибкой электроники. Изготовленные ОПТ стабильны в течение полугода без потери свойств, что позволяет использовать их в качестве основы для химических сенсоров.