ИСТИНА

В работе было исследовано влияние параметров ионного облучения на формирование дефектов в графеновом покрытии, состоящем из нескольких слоев графена, осажденном на медную фольгу. Облучение графенового покрытия проводилось на ускорительном комплексе HVEE-500 НИИЯФ МГУ с использованием ионов He + и Ar + при энергии 100 кэВ при комнатной температуре образца. Флюенс составлял от 10 12 до 10 13 ион/см 2 для ионов аргона и от 10 13 до 10 16 ион/см 2 для ионов гелия. Плотность тока пучка ионов поддерживалась на уровне 100 нА/см 2 для исключения термического отжига в процессе облучения. Исследование структуры мишеней до и после облучения проводилось методом комбинационного рассеяния света. Спектры КРС были получены с применением лазера с длиной волны 473 нм, мощность пучка не превышала 0.25 мВт, диаметр луча составлял 1 мкм. Моделирование дефектообразования в процессе облучения проводилось с использованием программы SRIM. Компьютерное моделирование дефектообразования под действием ионного облучения основанное на статистическом моделировании каскадов бинарных столкновений продемонстрировало развитие этапов процесса дефектообразования в графеновом покрытии для различных значений параметра DPA. В процессе моделирования дефектообразования в графеновом покрытии учитывались обратнорассеяные от поверхности меди налетающие ионы, а также процесс распыления медной подложки. Было показано, что происходит накопление точечных дефектов до значений параметра DPA 5*10 -4 , после чего начинается процесс объединения активных областей дефектов, и при значениях параметра DPA 5*10 -3 происходит разрушение порядка в расположении атомов углерода с переходом в состояние аморфной формы углерода. Исследование выполнено при финансовой поддержке РНФ в рамках научного проекта № 20-72-10118 «Ионное облучение как метод модифицирования электрических и оптических свойств углеродных наноструктур».