ИСТИНА

Целью данной работы являлась разработка универсального подхода к изготовлению структурированного полимерного субстрата исключительно печатными методами, без использования фотолитографии и напыления, для создания на его основе печатного полимерного полевого транзистора (ПППТ), подходящего для использования в качестве газового/жидкостного сенсора. Печатные устройства были изготовлены на подложках из стекла (проводящего с ITO и непроводящего) и полиэтиленнафталата (ПЭН) в геометрии нижний контакт — нижний затвор. Проводящие контакты печатали серебряными чернилами, представляющими собой наноразмерные частицы серебра в растворителе: серебряная паста CRSN2442 (Sun Chemical) и серебряные чернила Silverjet DGP-40LT-15C (Sigma Aldrich). Для обеспечения достаточных адгезионных свойств чернил к подложке, поверхность субстрата обрабатывали олигомерным 3-аминопропилтриэтоксисиланом (О-АПТС) методом центрифугирования и АПТС из газовой фазы.i Нижний затвор печатали трафаретной (ТП) и струйной печатью (СП). Все условия печати были оптимизированы. Для обеспечения стабильности контактов, напечатанные электроды отжигали при температуре 150 градусов в вакуумном сушильной шкафу. Следует отметить, что отжиг при более низкой температуре или без вакуума не обеспечивает требуемой стабильности слоя, что приводит к повреждению контактов при формировании диэлектрического слоя. Диэлектрический слой полистирола (ПС) наносили методом дозирующего лезвия (ДЛ), как одним из способов трафаретной печати. Качество диэлектрического слоя оценивали по морфологии АСМ, емкости слоя и плотности тока утечки. Наилучшие характеристики слоя (СКЗ = 0,26 нм, удельная емкость = 27 нФ/см2) были достигнуты для устройства, изготовленного на стеклянной подложке с струйно-печатными электродами и диэлектрическим слоем, полученным из толуола (90%)/о-ксилола (10%). раствор ФС с ММ= 280 тыс. г/моль при концентрации 60 мг/мл. Измеренные электрические характеристики позволяют использовать напечатанные субстраты в качестве перспективной основы для последующего нанесения полупроводникового активного слоя и испытания их в качестве газовых сенсоров.