ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В работе представлены результаты теоретического анализа и численного расчета разброса времени прохождения одноквантового импульса (джиттера) в дискретной джозефсоновской передающей линии со слабым демпфированием контактов. Проведено сравнение полученных результатов с зависимостями для джиттера в длинном джозефсоновском переходе и в дискретной джозефсоновской передающей линии с критическим демпфированием контактов, обычно использующихся в сверхпроводниковой электронике. Основным отличием характеристик является новый физический эффект в рассматриваемых структурах – влияние черенковского излучения, возбуждаемого проходящим флаксоном, на джиттер, обуславливающее возникновение резкого пика джиттера для средних значений токов питания. Полученные данные позволяют минимизировать джиттер в исследуемых структурах, используемых в схемах считывания слабых токовых и магнитных сигналов от наноразмерных сверхпроводниковых сенсоров и квантовых объектов.