![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Двумерные (2D) материалы, такие как восстановленный оксид графена (GO) позволяют получить переключающиеся резистивные структуры в планарном исполнении. 2D материалы, модифицированные с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), позволяют контролировать резистивные состояния таких структур с помощью света в видимом диапазоне. Целью нашей работы было определение возможных путей создания фоторезистивных структур путем восстановления и модифицирования оксида графена УНЧ. Такого рода структуры необходимы при конструировании ячеек с кратковременной или долгосрочной энергонезависимой резистивной памятью.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Тезисы в сборнике | Tezisyi_Mendeleevskij_konkurs_2023.png | 189,1 КБ | 6 мая 2023 [MitiushevND] |