Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
1/fα tunneling current noise characteristics in the vicinity of individual impurity atoms on clean InAs(110) surface
доклад на конференции
Авторы:
Oreshkin A.I.
,
Oreshkin S.I.
,
Radchenko I.V.
,
Panov V.I.
,
Maslova N.S.
,
Muzychenko D.A.
,
Mancevich V.N.
,
Savinov S.V.
Международная Конференция (Симпозиум) :
International Symp: «Nanostructures: Physics and Technology 2006»
Даты проведения конференции:
2006
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
Mancevich V.N.
не указан
Oreshkin A.I.
Oreshkin S.I.
Radchenko I.V.
Panov V.I.
Maslova N.S.
Muzychenko D.A.
Mancevich V.N.
Savinov S.V.
Место проведения:
Saint-Petersburg
Добавил в систему:
Манцевич Владимир Николаевич