ИСТИНА

Диоксид ванадия при температуре 68оС проявляет резкий переход металл-полупроводник, сопровождающийся значительным изменением проводимости (до 105 раз) и оптической прозрачности в ИК- и ТГц-диапазонах, что открывает перспективы его использования в микроэлектронике и оптике. Однако для практического применения необходимо синтезировать пленки VO2 высокого качества, например, в виде эпитаксиальных покрытий на различных подложках. Металлические ленты с буферными слоями могут заменить монокристаллические подложки, так как они позволяют получать высококачественные эпитаксиальные пленки функциональных оксидов в текстурированном виде, обладают высокой гибкостью и низкой стоимостью. В качестве металлических лент с буферными слоями могут быть использованы архитектуры, широко используемые в технологии получения ВТСП-проводов второго поколения (MgO/Hastelloy) и содержащие оксидные слои близкие по кристаллографическим параметрам к VO2 (YSZ, Y2O3). Целью данной работы является химическое осаждение длинномерных биаксиально текстурированных пленок диоксида ванадия методом MOCVD на гетероструктуры Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy и YSZ/MgO/Hastelloy. В соответствии с этим были поставлены следующие задачи: синтез прекурсоров оксидных пленок на основе b-дикетонатов металлов, оптимизация процесса химического осаждения оксидных буферных слоев и VO2, получение тонкопленочных гетероструктур Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy и YSZ/MgO/Hastelloy, получение на них эпитаксиальных пленок диоксида ванадия и изучение свойств полученных материалов. В ходе работы синтезирован гексафторацетилацетонат ванадила (прекурсор пленок VO2) по реакции VO(SO4)*3H2O + 2Hhfa + 2NaOH = VO(hfa)2(H2O) + Na2SO4 + 4H2O. Химическое осаждение буферных слоев YSZ и Y2O3 проводилось по реакциям окислительного разложения b-дикетонатов металлов. Нанесение пленок VO2 проводили по реакции пирогидролитического разложения гексафторацетилацетоната ванадила в инертной атмосфере. Проведены эксперименты по химическому осаждению из газовой фазы тонких пленок VO2 на монокристаллические подложки сапфира и YSZ. Получены тонкопленочные гетероструктуры VO2/Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy и VO2/YSZ/MgO/Hastelloy (рис. 1) с высокой степенью биаксиальной текстуры. Проведена характеризация полученных пленочных материалов совокупностью физико-химических методов анализа с целью определения их фазового состава (РФА), ориентации кристаллических зерен (2θ/ω-, φ-сканирование), морфологии (СЭМ). Изучены транспортные свойства полученных пленочных материалов на основе VO2. Таким образом, в ходе работы впервые в мировой практике были получены пленки диоксида ванадия на металлических подложках с системой буферных слоев. По результатам исследований свойств пленочных материалов был сделан вывод, что нанесение на систему буферных слоев Y2O3/YSZ/MgO/Hastelloy приводит к лучшим транспортным свойствам диоксида ванадия, чем в случае системы YSZ/MgO/Hastelloy, что связано с особенностями эпитаксиального роста пленок VO2. Полученные пленочные материалы демонстрируют высокие характеристики перехода металл-полупроводник (изменение сопротивления составляет 104 Ом).