|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ЭФФЕКТЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО АРГОНОВОГО ПУЧКА С ПРИПОВЕРХНОСТНЫМИ СЛОЯМИ КРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ИНДИЯ И АРСЕНИДА ГАЛЛИЯдоклад на конференции
- Авторы: ЧЕБОТАРЕВ СЕРГЕЙ НИКОЛАЕВИЧ, ЕРИМЕЕВ ГЕОРГИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ГОНЧАРОВА ЛИДИЯ МИХАЙЛОВНА, МОХАМЕД А.А.А
- Международная Конференция : XXIII международная конференция "Оптика и спектроскопия конденсированных сред"
- Даты проведения конференции: 17-23 сентября 2017
- Дата доклада: 20 сентября 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Краснодар, Russia
-
Аннотация доклада:
We proposed a technique of determining the sputtering coefficients of GaAs and InAs for argon ions using scanning laser confocal microscopy. The effects of low-energy sputtering of gallium arsenide and indium arsenide were investigated. It is established that an amorphized surface is formed during the etching process.
- Добавил в систему: Чеботарев Сергей Николаевич