Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Получение методом ионно-лучевого осаждения структур GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей III поколения
доклад на конференции
Авторы:
Лунин Л.С.
,
Сысоев И.А.
,
Чеботарев С.Н.
,
Пащенко А.С.
Международная Конференция :
ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА: НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ
Даты проведения конференции:
17-22 октября 2010
Дата доклада:
18 октября 2010
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Лунин Л.С.
Сысоев И.А.
Чеботарев С.Н.
Пащенко А.С.
Место проведения:
Ставрополь, Russia
Добавил в систему:
Чеботарев Сергей Николаевич