![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Метод ионной имплантации позволяет получить пористые слои Ge толщиной в десятки нанометров. Спектроскопия КРС является чувствительным структурным методом, который позволяет получить сигнал от тонкого пористого слоя, полученного имплантацией кристаллической пластины c-Ge. Излучение видимого диапазона эффективно поглощается слоями пористого Ge, поэтому глубина проникновения лазерного излучения сопоставима с толщиной пористого слоя.