|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние толщины имплантированных слоев Ge на лазерный нагрев при исследовании методом КРСдоклад на конференции
- Авторы: Павликов А.В., Шарафутдинова А.М., Рогов А.М., Бокова-Сирош С.Н., Образцова Е.Д., Степанов А.Л.
- Всероссийская с международным участием Конференция : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света "КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ - 95 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙ"
- Даты проведения конференции: 5-9 июня 2023
- Дата доклада: 6 июня 2023
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Павликов А.В.
- Место проведения: Новосибирск, Russia
-
Аннотация доклада:
Метод ионной имплантации позволяет получить пористые слои Ge толщиной в десятки нанометров. Спектроскопия КРС является чувствительным структурным методом, который позволяет получить сигнал от тонкого пористого слоя, полученного имплантацией кристаллической пластины c-Ge. Излучение видимого диапазона эффективно поглощается слоями пористого Ge, поэтому глубина проникновения лазерного излучения сопоставима с толщиной пористого слоя.
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Добавил в систему: Павликов Александр Владимирович