ИСТИНА

систем C/Co/Cr, C/Co, C/Cr нанесенных методом магнетронного напыления на монокристаллический кремний. Проведена аттестация химической чистоты синтезированных пленок. Исследование элементного состава поверхности проведено методом оже-электронной спектроскопии с помощью оже-микроанализатора Jamp 10S (Jeol). Изменение концентрации хим. элементов по глубине образца исследовано с помощью профилирования потоком ионов аргона при ускоряющем напряжении 1 и 3 кэВ. Получены зависимости концентрации хим. элементов от глубины анализа. С помощью метода АСМ была определена глубина профилирования многослойных систем. Полученные результаты позволили определить средние скорости травления каждого слоя. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ №121030100002-0. Исследования выполняли с использованием оборудования ЦКП «Центр физических и физико-химических методов анализа, исследования свойств и характеристик поверхности, наноструктур, материалов и изделий» УдмФИЦ УрО РАН.