ИСТИНА

При исследовании и создании устройств на основе наноразмерных плёнок или покрытий существенную роль играет химический состав и структура синтезируемых слоёв. Так же особое влияние имеет порядок чередования слоёв в многослойных системах и их размерность. Одним из классических поверхностно-чувствительных методов исследования элементного состава является оже электронная спектроскопия, глубина анализа которого составляет 1-3 нм. Для определения изменений концентрации химических элементов по глубине образца используется метод распыления поверхности ионами инертного газа. В данном ключе особую актуальность имеет определение скорости распыления тонких слоёв различных химических элементов, поскольку они могут существенно отличаться от скорости распыления объемных материалов. В настоящей работе объектами исследования являлись тонкие (~30 нм) пленки C/Si, C/Co, C/Cr и многослойная система C/Co/Cr синтезированные методом магнетронного напыления на подложку из монокристаллического кремния. Для определения изменений элементного состава по глубине образца использовался метод оже электронной спектроскопии в комплексе с травлением ионами аргона. Построены зависимости изменения концентрации химических элементов в зависимости от глубины профилирования. Определены скорости распыления тонких плёнок. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ №121030100002-0. Исследования проводились с использованием оборудования центра коллективного пользования «Поверхность и новые материалы» УдмФИЦ УрО РАН.